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| 發(fā)布時(shí)間： |
2024/12/24 8:20:00 |
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第四代半導(dǎo)體工藝設(shè)備 氧化鎵退火爐 詳細(xì)說(shuō)明 |
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用途：
新型的寬禁帶半導(dǎo)體材料,氧化鎵（Ga2O3）由于自身的優(yōu)異性能,憑借其比第三代半導(dǎo)體材料SiC和GaN更寬的禁帶，在紫外探測(cè)、高頻功率器件等領(lǐng)域吸引了越來(lái)越多的關(guān)注和研究。氧化鎵是一種寬禁帶半導(dǎo)體，禁帶寬度Eg=4.9eV，其導(dǎo)電性能和發(fā)光特性良好，因此，其在光電子器件方面有廣闊的應(yīng)用前景，被用作于Ga基半導(dǎo)體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。
青島晨立生產(chǎn)的氧化鎵退火爐主要適用于科研單位、高等院校、研究機(jī)構(gòu)及企業(yè)。主要用于2-6英寸氧化鎵的退火等工藝使用。
青島晨立電子有限公司成立于2009年，是半導(dǎo)體設(shè)備、真空設(shè)備生產(chǎn)、研發(fā)、銷(xiāo)售廠家。為客戶提供先進(jìn)材料熱處理、高精度電加熱設(shè)備及系統(tǒng)集成等全套解決方案。
主要產(chǎn)品：晶圓真空退火爐、晶圓真空合金爐、半導(dǎo)體材料氧化爐、真空共晶爐、封裝外殼燒結(jié)爐、非晶材料磁場(chǎng)退火爐、高精度智能溫度控制系統(tǒng)和替代進(jìn)口的擴(kuò)散爐加熱器等，同時(shí)承接各種微電子生產(chǎn)線，進(jìn)口半導(dǎo)體專(zhuān)用設(shè)備的翻新升級(jí)改造及各大專(zhuān)院校科研院所的非標(biāo)研發(fā)定制工作。
本產(chǎn)品網(wǎng)址：http://zgyywsbw.com/sjshow_507808775/
手機(jī)版網(wǎng)址：http://m.vooec.com/trade_507808775.html
產(chǎn)品名稱(chēng)：第四代半導(dǎo)體工藝設(shè)備 氧化鎵退火爐 |
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電 話： |
86-0532-88533525 |
| 傳 真： |
86-- |
| 手 機(jī)： |
13869885308 |
| 地 址： |
山東省青島市即墨區(qū)泰山三路285號(hào)聯(lián)東U谷即墨科技創(chuàng)新谷3號(hào)樓 |
| 網(wǎng) 址： |
http://chenlidianzi.cn.vooec.com |
| 郵 編： |
266200 |
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