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| 您現(xiàn)在的位置： 武漢普賽斯儀表有限公司 > 供應(yīng)信息> SiC GaN三代半功率器件參數(shù)分析儀 |
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| 發(fā)布時間： |
2024/12/12 13:41:00 |
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SiC GaN三代半功率器件參數(shù)分析儀 詳細(xì)說明 |
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PMST系列功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，是普賽斯儀表經(jīng)過精心設(shè)計與打造的高精密電壓/電流測試分析系統(tǒng)。該系統(tǒng)不僅具備IV、CV、跨導(dǎo)等多元化的測試功能，還擁有高精度、寬測量范圍、模塊化設(shè)計以及便捷的升級擴(kuò)展等顯著優(yōu)勢。它能夠全面滿足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導(dǎo)體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數(shù)表征和測試需求，確保測量效率、一致性與可靠性的卓越表現(xiàn)。
此外，普賽斯儀表功率半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測試解決方案還支持交互式手動操作或結(jié)合探針臺的自動操作，能夠在整個表征過程中實現(xiàn)高效和可重復(fù)的器件表征。同時，該方案還可與高低溫箱、溫控模塊等搭配使用，滿足高低溫測試需求。從pA級、mV級高精度源表到kA級、10kV源表，普賽斯的產(chǎn)品解決了國內(nèi)企業(yè)在半導(dǎo)體芯片以及第三代半導(dǎo)體芯片測試中的儀表國產(chǎn)化問題，并在客戶IGBT產(chǎn)線上推出了多條測試示范線，引領(lǐng)了國內(nèi)IGBT測試的技術(shù)潮流。詳詢18140663476
“雙高”系統(tǒng)優(yōu)勢
高電壓、大電流
具有高電壓測量/輸出能力,電壓高達(dá)3500V(蕞大可擴(kuò)展至10kV)
具有大電流測量/輸出能力,電流高達(dá)6000A(多模塊并聯(lián))
高精度測量
nA級漏電流, μΩ級導(dǎo)通電阻
0.1%精度測量
模塊化配置
可根據(jù)實際測試需要靈活配置多種測量單元系統(tǒng)預(yù)留升級空間,后期可添加或升級測量單元
測試效率高
內(nèi)置專用開關(guān)矩陣,根據(jù)測試項目自動切換電路與測量單元
支持國標(biāo)全指標(biāo)的一鍵測試
擴(kuò)展性好
支持常溫及高溫測試可靈活定制各種夾具
測試項目
集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
續(xù)流二極管壓降Vf
I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等
普賽斯數(shù)字源表集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載功能于一體，支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測量、3500V高壓下nA級測量、1000A脈沖大電流輸出，全系列產(chǎn)品豐富，詳詢一八一四零六六三四七六；
本產(chǎn)品網(wǎng)址：http://zgyywsbw.com/sjshow_507810677/
手機版網(wǎng)址：http://m.vooec.com/trade_507810677.html
產(chǎn)品名稱：SiC GaN三代半功率器件參數(shù)分析儀 |
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電 話： |
86-027-87993690 |
| 傳 真： |
86-- |
| 手 機： |
18140663476 |
| 地 址： |
東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)光谷大道308號光谷動力節(jié)能環(huán)保產(chǎn)業(yè)園8棟2樓 |
| 網(wǎng) 址： |
http://whpssins.cn.vooec.com |
| 郵 編： |
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